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CISSOID 是功率半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，提供滿足各種功率要求的多相、大電流功率開關(guān)、電機(jī)控制系統(tǒng)和軟件。我們的解決方案范圍從片上系統(tǒng)到完整的基于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的逆變器參考設(shè)計(jì)，支持不斷增長的電動(dòng)汽車和高功率應(yīng)用。我們?cè)跇O端高溫半導(dǎo)體、高可靠性解決方案和封裝方面的領(lǐng)導(dǎo)地位和專業(yè)知識(shí)使我們能夠應(yīng)對(duì)各個(gè)市場中不斷增長的功率密度挑戰(zhàn)。

比利時(shí)Cissoid ---高溫半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者/High temperature Semiconductor leader

產(chǎn)品主要有穩(wěn)壓電源、二極管、Mos管等分立器件、功利率器件、運(yùn)放，邏輯門及門驅(qū)動(dòng)IC等

CISSOID是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，為極端溫度和惡劣環(huán)境下的電源管理、電源轉(zhuǎn)換和信號(hào)調(diào)理提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和定制解決方案。CISSOID提供從-55°C到+225°C的高可靠性產(chǎn)品，通常在該范圍之外使用，從低溫低到高溫。

深圳市宏諾德電子科技公司代理比利時(shí)Cissoid主要產(chǎn)品如下：所有產(chǎn)品線支持原廠訂購，并提供FAE技術(shù)支持

Discrete 分立元件-55°C至+225°C二級(jí)管、MOS管等

●80V N溝道小信號(hào)MOSFET

●10A、1200V碳化硅肖特基二極管

●40V雙NMOS晶體管

●小信號(hào)P溝道和N溝道MOSFET

●功率MOSFET NMOS 80V（CHT-NMOS80xx）

●雙二極管80V/3A-TO257封裝-雙系列

●功率晶體管-NMS-80V-1A-TDFP16封裝（NMOS8001）

Gate Driver 門驅(qū)動(dòng)IC

CISSOID有源元件額定溫度為-55°C至+225°C（Tj）

?隔離的高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

?支持浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器

?高溫10A/1200V SiC MOSFET開關(guān)

?直流母線電壓：典型值600V。（設(shè)計(jì)最大電壓為1200V）

?DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)頻率：180kHz典型值。

?單電源：[12-15V]±10%

?欠壓鎖定（UVLO）

SIC MOSFET智能功率IPM模塊

這款新型三相1200V/340A-550A SiC MOSFET智能功率模塊平臺(tái)專為汽車、工業(yè)和航空航天電機(jī)驅(qū)動(dòng)器而設(shè)計(jì)。由于在高結(jié)溫（高達(dá)175°C）和低開關(guān)損耗下運(yùn)行，它使高功率密度轉(zhuǎn)換器能夠充分利用SiC技術(shù)的全部優(yōu)勢(shì)。